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Al2O3介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数值模拟

  
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Al2O3介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数值模拟

2万字 52页 原创作品,已通过查重系统



摘 要

火箭、卫星、宇宙飞船等要受到宇宙射线的辐射;核电站、核潜艇等时刻要受到核辐射的影响。而这些设备中不可或缺的MOS器件在辐射的影响下均会受到损伤。随着Al2O3介质MOS器件发展的越来越迅速,其在辐射中受到的影响程度称为研究的焦点。
经过研究,阈值电压漂移时MOS器件在辐射环境下工作中受到损伤后最主要的损伤。所以本文利用仿真软件,模拟了Al2O3介质MOS结构在总剂量辐照损伤下的阈值电压漂移。本文在器件结构确定的情况下,模拟器件在受到辐射和未受到辐射两种情况下,受到相同的的总剂量辐射,得到器件的CV曲线。
接着从CV曲线上可以提取出阈值电压漂移。再据此算出每个辐照剂量下的氧化层陷阱电荷量。找到氧化层陷阱电荷随着辐照剂量的变化规律。

关键词: 空间辐射;总剂量效应;陷阱电荷;数值模拟

  
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