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SiO2介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数值模拟

  
编号:99-583283 | doc 格式 | 1.59M | 53 页
SiO2介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数值模拟


2万字 53页 原创作品,已通过查重系统


摘 要

半导体集成电路在我们的生活中的应用已经十分广泛了,而它的重要组成部分MOS结构又是半导体器件中的核心。而在这之中,使用最为广泛,技术最为成熟,时间最长的,就是SiO2介质的MOS结构器件。
半导体器件容易受到辐射的干扰而失效,严重的甚至会损坏电路。这是由于辐射会在半导体器件上产生总剂量效应,而总剂量效应就会使半导体器件的内部发生物理变化,从而导致损伤的发生。
本文使用了Sentaurus TCAD软件建立物理模型,研究探讨了SiO2介质MOS器件在伽马射线的辐照下的总剂量效应与内在的物理变化。研究表明,辐照使电子电流密度辐照后最高点的数量级增加了3个数量级;电子密度辐照后最高点的数量级增加了1个数量级;空穴电流密度辐照后的数量级最高点增加了3个数量级;空间电荷辐照后最高点的数量级增加了1个数量级。
另外,也可得出辐照在介质中产生了正的氧化层陷阱电荷量,陷阱电荷的数量级为1011~1012cm-2,且辐射越强则氧化层陷阱电荷量就越多,MOS器件的损伤也就越大的结论,希望这个结论能有助于抗辐照水平研究的提高。



关键词:SiO2,Sentaurus TCAD,MOS,总剂量效应


  
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